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DMP2012SN-7|Diodes Inc
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制造商型号: DMP2012SN-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
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产品信息
数据列表 DMP2012SN
产品相片 SOT-23-3
产品目录绘图 SC-59 Package Top
PCN Design/Specification Bond Wire 3/May/2011
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)700mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)300 毫欧 @ 400mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)180pF @ 10V
功率 - 最大值500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SC-59-3
其它名称DMP2012SNDITR
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