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DMN63D8LDW-7|Diodes Inc
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制造商型号: DMN63D8LDW-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N CH DL 30V 220MA SOT363
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产品信息
数据列表 DMN63D8LDW
产品相片 SOT-363
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)220mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.8 欧姆 @ 250mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.87nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)22pF @ 25V
功率 - 最大值300mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装SOT-363
其它名称DMN63D8LDW-7TR
DMN63D8LDW7
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