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DMN6066SSD-13|Diodes Inc
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制造商型号: DMN6066SSD-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET 2N-CH 60V 3.3A SO8
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产品信息
数据列表 DMN6066SSD
产品相片 SOP-8L
PCN Design/Specification Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)3.3A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)66 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10.3nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)502pF @ 30V
功率 - 最大值1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOP
产品目录页面1474 (CN2011-ZH PDF)
其它名称DMN6066SSD-13TR
DMN6066SSD13
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