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DMN5L06VAK-7|Diodes Inc
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制造商型号: DMN5L06VAK-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CHAN DUAL 50V SOT-563
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产品信息
数据列表 DMN5L06VK,VAK
产品相片 SOT-563
其它图纸 SOT-563 Package Top
PCN Design/Specification Bond Wire 11/Nov/2011
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)280mA
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2 欧姆 @ 50mA @ 5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)50pF @ 25V
功率 - 最大值250mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-563,SOT-666
供应商器件封装SOT-563
产品目录页面1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称DMN5L06VAK7
DMN5L06VAKDITR
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