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DMN4800LSSL-13|Diodes Inc
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制造商型号: DMN4800LSSL-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 30V 8A SO-8
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产品信息
数据列表 DMN4800LSSL
产品相片 8-SOIC
PCN Other Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)14 毫欧 @ 8A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.6V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)8.7nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)798pF @ 10V
功率 - 最大值1.46W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
其它名称DMN4800LSSL-13DITR
DMN4800LSSL13
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