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DMN4036LK3-13|Diodes Inc
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制造商型号: DMN4036LK3-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 40V 8.5A DPAK
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产品信息
数据列表 DMN4036LK3
产品相片 TO-263
PCN Design/Specification Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)36 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)9.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)453pF @ 20V
功率 - 最大值2.12W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252-3
其它名称DMN4036LK3-13DITR
DMN4036LK313
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