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DMN3033LSN-7|Diodes Inc
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制造商型号: DMN3033LSN-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 30V 6A SC59-3
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产品信息
数据列表 DMN3033LSN
产品相片 SOT-23-3
产品目录绘图 SC-59 Package Top
PCN Design/Specification Bond Wire 23/May/2008
Bond Wire 11/Nov/2011
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)30 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)10.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)755pF @ 10V
功率 - 最大值1.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SC-59-3
产品目录页面1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称DMN3033LSN7
DMN3033LSNDITR
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