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DMN3033LDM-7|Diodes Inc
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制造商型号: DMN3033LDM-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-26
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产品信息
数据列表 DMN3033LDM
产品相片 SOT26
PCN Design/Specification Bond Wire 11/Nov/2011
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)6.9A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)33 毫欧 @ 6.9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)13nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)755pF @ 10V
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-23-6
供应商器件封装SOT-26
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