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DMN3020LK3-13|Diodes Inc
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制造商型号: DMN3020LK3-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 30V 11.3A DPAK
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产品信息
数据列表 DMN3020LK3
产品相片 TO-263
PCN Obsolescence Discrete Family 24/Jul/2013
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)11.3A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)20 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)6.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)608pF @ 15V
功率 - 最大值2.17W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252-3
其它名称DMN3020LK3-13DITR
DMN3020LK313
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