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制造商型号: DMN2400UFB4-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
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产品信息
数据列表 DMN2400UFB4
产品相片 SBR 3-DFN
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)750mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)550 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)36pF @ 16V
功率 - 最大值470mW
安装类型表面贴装
封装/外壳3-XFDFN
供应商器件封装3-DFN1006(1.0x0.6)
其它名称DMN2400UFB4-7DITR
DMN2400UFB47
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