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DMN2041LSD-13|Diodes Inc
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制造商型号: DMN2041LSD-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET 2N-CH 20V 7.63A SO8
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产品信息
数据列表 DMN2041LSD
产品相片 8-SOIC
PCN Design/Specification Bond Wire 11/Nov/2011
PCN Other Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型2 个 N 沟道(双)
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7.63A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)28 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)15.6nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)550pF @ 10V
功率 - 最大值1.16W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SO
其它名称DMN2041LSD-13DITR
DMN2041LSD13
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