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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： DMN2005DLP4K-7
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET DUAL N-CH 6-DFN
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET DUAL N-CH 6-DFN
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | DMN2005DLP4K |
|---|---|
| 产品相片 | DFN1310H4-6 |
| 其它图纸 | DFN1310H4-6 Side DFN1310H4-6 Bottom |
| PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 200mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 1.5 欧姆 @ 10mA，4V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 100µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | - |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-SMD，无引线 |
| 供应商器件封装 | 6-DFN1310H4（1.0x1.3） |
| 产品目录页面 | 1578 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMN2005DLP4K7 DMN2005DLP4KDITR |
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