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DMN10H170SK3-13|Diodes Inc
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制造商型号: DMN10H170SK3-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N CH 100V 12A TO252
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产品信息
数据列表 DMN10H170SK3
产品相片 TO252-3L
PCN Design/Specification Wafer Site/Bond Wire 8/Apr/2013
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)12A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)140 毫欧 @ 5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)9.7nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1167pF @ 25V
功率 - 最大值42W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商器件封装TO-252
其它名称DMN10H170SK3-13DITR
DMN10H170SK313
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