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DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Dual MOSFET 20V VDSS 8V VGSS RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A 8-Pin TSSOP T/R RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
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DMG8822UTS-13 Diodes Incorporated Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 8-Pin TSSOP T/R RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
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DMG8822UTS-13 Zetex / Diodes Inc Trans MOSFET N-CH 20V 4.9A Automotive 8-Pin TSSOP T/R
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![]() | Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP 详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 4.9A 870mW Surface Mount 8-TSSOP 型号:DMG8822UTS-13 仓库库存编号:DMG8822UTS-13DICT-ND 别名:DMG8822UTS-13DICT <br> | 无铅 |
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数据列表 | DMG8822UTS |
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产品相片 | 8-TSSOP |
PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
标准包装 | 2,500 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 4.9A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 25 毫欧 @ 8.2A,4.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 9.6nC @ 4.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 841pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 870mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
供应商器件封装 | 8-TSSOP |
产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称 | DMG8822UTS-13DITR DMG8822UTS13 |