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DMG4435SSS-13|Diodes Inc
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制造商型号: DMG4435SSS-13
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOIC
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产品信息
数据列表 DMG4435SSS
产品相片 SOP-8L
PCN Design/Specification Bond Wire 11/Nov/2011
PCN Other Multiple Device Changes 29/Apr/2013
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)7.3A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)16 毫欧 @ 11A,20V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)35.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1614pF @ 15V
功率 - 最大值1.3W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOP
产品目录页面1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名称DMG4435SSS-13DITR
DMG4435SSS13
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