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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： DMG1012T-7
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | DMG1012T |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-523 |
| PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 630mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.74nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 60.67pF @ 16V |
| 功率 - 最大值 | 280mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
| 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMG1012T-7-ND DMG1012T-7DITR DMG1012T7 Q4768583 |
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