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DMG1012T-7|Diodes Inc
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制造商型号: DMG1012T-7
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
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产品信息
数据列表 DMG1012T
产品相片 SOT-523
PCN Design/Specification Bond Wire 11/Nov/2011
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列-
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)630mA (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)400 毫欧 @ 600mA,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)60.67pF @ 16V
功率 - 最大值280mW
安装类型表面贴装
封装/外壳SOT-523
供应商器件封装SOT-523
产品目录页面1577 (CN2011-ZH PDF)
其它名称DMG1012T-7-ND
DMG1012T-7DITR
DMG1012T7
Q4768583
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