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DI9952T|Diodes Inc
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制造商型号: DI9952T
制造商: Diodes Inc
描述: MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC
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产品信息
产品相片 SOP-8L
其它图纸 SO-8 Package Top
SO-8 Package Side 1
SO-8 Package Side 2
标准包装  1
类别分立半导体产品
家庭FET - 阵列
系列-
包装  剪切带 (CT)  
FET 类型N 和 P 沟道
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)2.9A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)-
功率 - 最大值2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装8-SOP
产品目录页面1578 (CN2011-ZH PDF)
其它名称DI9952
DI9952CT
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