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DDA113TU-7-F Diodes Incorporated TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
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DDA113TU-7-F Diodes Incorporated Bipolar Transistors - Pre-Biased 200MW 1K RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
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![]() | Diodes Incorporated TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363 详细描述:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-363 型号:DDA113TU-7-F 仓库库存编号:DDA113TU-7-FDICT-ND 别名:DDA113TU-7-FDICT <br> | 无铅 |
数据列表 | DDAzzzzU |
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产品相片 | SOT-363 |
PCN Design/Specification | Green Encapsulate Change 09/July/2007 |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
系列 | - |
包装 | 带卷 (TR) |
晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 1k |
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | - |
不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 1mA,5V |
不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 1mA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | - |
频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 200mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | SOT-363 |