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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： D2012UK
制造商： SEMELAB
描述： 场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 10W 1000MHz DP
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： SEMELAB
描述： 场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 10W 1000MHz DP
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端 28V 10W 1000MHz DP
- 晶体管类型: RF FET
- 漏源电压, Vds: 65V
- 电流, Id 连续: 4A
- 功??, Pd: 42W
- 最低工作频率: 1MHz
- 最高工作频率: 500MHz
- 封装类型: DP
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功耗最大值: 42W
- 工作频率范围: 1MHz 至 500MHz
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