CSD25401Q3,CSD25401Q3|Texas Instruments代理分销-CSD25401Q3全新原装货

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CSD25401Q3 库存编号:296-24260-2-ND Texas Instruments 询价查看资料	0 起订 6-10天		询价
CSD25401Q3 库存编号:296-24260-6-ND Texas Instruments 询价查看资料	0 1起订 6-10天	1+	￥16.95 询价
CSD25401Q3 库存编号:296-24260-1-ND Texas Instruments 询价查看资料	0 1起订 6-10天		询价

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参考价格及参考库存

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CSD25401Q3
Texas Instruments

Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin SON EP T/R (Alt: CSD25401Q3)

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CSD25401Q3
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Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin SON EP T/R - Tape and Reel (Alt: CSD25401Q3)

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CSD25401Q3
Texas Instruments

FET, P CH, SINGLE, 20V, 8SON, FULL REEL

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产品描述 / 参考图片

制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号

Texas Instruments NexFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 CSD25401Q3, 60 A, Vds=20 V, 8引脚 SON封装

制造商零件编号：
CSD25401Q3
品牌：
Texas Instruments
库存编号：
827-4921

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参考图片	制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名	PDF
	Texas Instruments MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 14A（Ta），60A（Tc） 2.8W（Ta） 8-VSON（3.3x3.3）型号：CSD25401Q3 仓库库存编号：296-24260-1-ND 别名：296-24260-1 <br>	含铅

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参考图片	型号/品牌	描述 / 技术参考
	CSD25401Q3 Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 查看详细
	CSD25401Q3-BKN TI	Trans MOSFET P-CH 20V 14A 8-Pin SON EP T/R 暂无PDF 查看详细

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制造商产品编号	仓库库存编号	制造商 / 说明 / 规格书
CSD25401Q3	2435718	TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, P沟道, 60 A, -20 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, 850 mV (EN)
CSD25401Q3	1710779	TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, P沟道, 60 A, -20 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, 850 mV (EN)
CSD25401Q3	1710779RL	TEXAS INSTRUMENTS 晶体管, MOSFET, P沟道, 60 A, -20 V, 0.0088 ohm, -4.5 V, 850 mV (EN)
CSD25401Q3.	2394574	TEXAS INSTRUMENTS 功率场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, -60A, SON-8 (EN)

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	CSD25401Q3 Texas Instruments	MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON 查看详细

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制造商型号： CSD25401Q3
制造商： Texas Instruments
描述： MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

产品信息

数据列表	CSD25401Q3
产品相片	CSD1632x Series 8-SON
产品培训模块	NexFET MOSFET Technology
视频文件	NexFET Power Block PowerStack? Packaging Technology Overview
标准包装	2,500
类别	分立半导体产品
家庭	FET - 单
系列	NexFET™
包装	带卷 (TR)
FET 类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能	逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)	20V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时）	14A （Ta）， 60A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值）	11.7 毫欧 @ 10A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）	1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)	12.3nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)	1400pF @ 10V
功率 - 最大值	2.8W
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装	8-SON
产品目录页面	1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称	296-24260-2

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