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CSD17312Q5|Texas Instruments
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制造商型号: CSD17312Q5
制造商: Texas Instruments
描述: MOSFET N-CH 30V 100A 8SON
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产品信息
数据列表 CSD17312Q5
产品培训模块 NexFET MOSFET Technology
Selecting Voltage References
视频文件 NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
设计资源 Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列NexFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)38A (Ta), 100A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)1.5 毫欧 @ 35A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)36nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)5240pF @ 15V
功率 - 最大值3.2W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-SON
其它名称296-27613-2
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