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CSD16325Q5|Texas Instruments
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制造商型号: CSD16325Q5
制造商: Texas Instruments
描述: MOSFET N-CH 25V 5X6 100A 8SON
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产品信息
数据列表 CSD16325Q5
产品相片 CSD1632x Series 8-SON
产品培训模块 NexFET MOSFET Technology
视频文件 NexFET Power Block
PowerStack? Packaging Technology Overview
设计资源 Create your power design now with TI’s WEBENCH? Designer
标准包装  2,500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列NexFET™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)25V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)33A (Ta), 100A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2 毫欧 @ 30A,8V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)4000pF @ 12.5V
功率 - 最大值3.1W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-TDFN 裸露焊盘
供应商器件封装8-SON
产品目录页面1623 (CN2011-ZH PDF)
其它名称296-24964-2
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