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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BZX84-C9V1
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： 二极管齐纳击穿 350MW 9.1V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR
描述： 二极管齐纳击穿 350MW 9.1V
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 二极管齐纳击穿 350MW 9.1V
- 典型齐纳电压, Vz: 9.1V
- 功耗, Pd: 350mW
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 二极管封装形式: SOT-23
- 针脚数: 3
- MSL: MSL 1 -无限制
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (20-Jun-2013)
- SMD标号: Z8
- 二极管类型: 齐纳
- 功耗最大值: 350mW
- 外宽: 3.05mm
- 外部深度: 2.3mm
- 外部长度/高度: 1.12mm
- 容差: 5%
- 封装/箱盒: SOT-23
- 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
- 带子宽度: 8mm
- 总功率, Ptot: 350mW
- 测试电流: 5mA
- 齐纳电流: 5mA
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