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制造商型号: BZV55-B6V2,11
制造商: NXP
描述: Diode,Zener,400mW,SOD80C,BZV55B6V2
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产品信息
Typical Voltage Temperature Coefficient2.3mV/°C
安装类型表面贴装
宽度1.6mm
封装类型MiniMELF
尺寸3.7 x 1.6 x 1.6mm
引脚数目2
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散500 mW
最大反向漏电流3μA
最大齐纳阻抗10Ω
最高工作温度+200 °C
测试电流5mA
配置
长度3.7mm
额定齐纳电压6.2V
高度1.6mm
齐纳电压容差±2%
齐纳类型稳压器
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