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BUZ30A H|Infineon Technologies
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制造商型号: BUZ30A H
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 200V 21A TO220-3
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产品信息
数据列表 BUZ 30A H
产品相片 TO-220-3
标准包装  500
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列SIPMOS®
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)200V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)21A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)130 毫欧 @ 13.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)1900pF @ 25V
功率 - 最大值125W
安装类型通孔
封装/外壳TO-220-3
供应商器件封装PG-TO220-3
其它名称BUZ30AH
BUZ30AHXKSA1
SP000682990
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