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制造商型号: BUTW9
制造商: STMicroelectronics
描述: Transistor,bipolar,silicon,High current,NPN,60A,250V,TO247,BUTW92
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产品信息
安装类型通孔
宽度5.3mm
封装类型TO-247
尺寸20.3 x 15.9 x 5.3mm
引脚数目3
晶体管类型NPN
最低工作温度-65 °C
最大功率耗散180 W
最大发射极-基极电压7 V
最大基极-发射极饱和电压2 V
最大集电极-发射极电压250 V
最大集电极-发射极饱和电压1.5 V
最大集电极-基极电压500 V
最小直流电流增益6 V
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别双极功率
配置
长度15.9mm
高度20.3mm
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