  |
  |
您现在的位置：首页 > BUK9K18-40E,115
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BUK9K18-40E,115
制造商： NXP
描述： BUK9K18 系列 40 V 19.5 mΩ 双通道 N 沟道 TrenchMos 逻辑电平 FET- LFPAK-56D
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： BUK9K18 系列 40 V 19.5 mΩ 双通道 N 沟道 TrenchMos 逻辑电平 FET- LFPAK-56D
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: Dual N-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 40 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 19.5 mΩ
- Qg Gate Charge: 14.5 nC
- Rated Power Dissipation: 38 W
询价