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BUK9E3R2-40E,127|NXP Semiconductors
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制造商型号: BUK9E3R2-40E,127
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK
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产品信息
数据列表 BUK9E3R2-40E
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMOS™
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)100A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.8 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)69.5nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)9150pF @ 25V
功率 - 最大值234W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装I2PAK
其它名称568-9873-5
BUK9E3R240E127
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