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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BUK9E1R6-30E
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A I2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A I2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N沟道 30V 120A I2PAK
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 120A
- 漏源电压, Vds: 30V
- 在电阻RDS（上）: 1400μohm
- 电压 @ Rds测量: 5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1.7V
- 功耗, Pd: 349W
- 工作温度最小值: -55°C
- 工作温度最高值: 175°C
- 封装类型: TO-262
- 针脚数: 3
- MSL: MSL 1 -无限制
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
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