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BUK7E8R3-40E|NXP
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制造商型号: BUK7E8R3-40E
制造商: NXP
描述: 场效应管 MOSFET N沟道 40V 75A I2PAK
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产品信息
  • 场效应管 MOSFET N沟道 40V 75A I2PAK
  • 晶体管极性: N沟道
  • 电流, Id 连续: 75A
  • 漏源电压, Vds: 40V
  • 在电阻RDS(上): 0.0058ohm
  • 电压 @ Rds测量: 10V
  • 阈值电压, Vgs th 典型值: 3V
  • 功耗, Pd: 96W
  • 工作温度最小值: -55°C
  • 工作温度最高值: 175°C
  • 封装类型: TO-262
  • 针脚数: 3
  • SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 工作温度范围: -55°C 至 +175°C
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