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BUK6E2R3-40C,127|NXP Semiconductors
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制造商型号: BUK6E2R3-40C,127
制造商: NXP Semiconductors
描述: MOSFET N-CH TRENCH I2PAK
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产品信息
数据列表 BUK6E2R3-40C
产品相片 I2PAK SOT226
标准包装  50
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列TrenchMOS
包装  管件  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)120A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)2.3 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)2.8V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)260nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)15100pF @ 25V
功率 - 最大值306W
安装类型通孔
封装/外壳TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA
供应商器件封装I2PAK
其它名称568-7504-5
BUK6E2R3-40C,127-ND
BUK6E2R340C127
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