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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BUK662R7-55C,118
制造商： NXP
描述： BUK662R7 系列 55 V 2.7 mΩ N 沟道 TrenchMos 中等电平 FET - D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： BUK662R7 系列 55 V 2.7 mΩ N 沟道 TrenchMos 中等电平 FET - D2PAK
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: N-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 55 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 2.7 mΩ
- Qg Gate Charge: 146 nC
- Rated Power Dissipation: 306 W
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