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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BUK6507-75C,127
制造商： NXP
描述： BUK6507-75C 系列 75 V 100 A 7.6 mOhm N-沟道 TrenchMOS FET - TO-220AB
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： BUK6507-75C 系列 75 V 100 A 7.6 mOhm N-沟道 TrenchMOS FET - TO-220AB
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- Channel Type: N-Channel
- Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 75 V
- Drain-Source On Resistance-Max: 7.6 mΩ
- Qg Gate Charge: 123 nC
- Rated Power Dissipation: 204 W
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