  |
  |
您现在的位置：首页 > BSS8402DW-7
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BSS8402DW-7
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Diodes Inc
描述： MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | BSS8402DW Datasheet |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 |
| PCN Design/Specification | Green Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V，50V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 115mA，130mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | BSS8402DWDITR |
询价