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制造商型号: BSS139 H632
制造商: Infineon
描述: MOSFET,N沟道,250V,0.1A,SOT23
订购热线:400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
典型关断延迟时间29 ns
典型接通延迟时间5.8 ns
典型栅极电荷@Vgs2.3 nC V @ 5
典型输入电容值@Vds60 pF V @ 25
安装类型表面贴装
宽度1.3mm
封装类型SOT-23
尺寸2.9 x 1.3 x 1mm
引脚数目3
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散0.36 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压250 V
最大漏源电阻值Ω14
最大连续漏极电流0.1 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别小信号
通道模式消耗
通道类型N
配置
长度2.9mm
高度1mm
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