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产品信息
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场效应管 MOSFET P SOT-223
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晶体管极性:
P沟道
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电流, Id 连续:
1.17A
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漏源电压, Vds:
60V
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在电阻RDS(上):
800mohm
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电压 @ Rds测量:
-10V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
-1.5V
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功耗, Pd:
1.8W
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SOT-223
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针脚数:
4
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SMD标号:
BSP315P
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功耗, Pd:
1.8W
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功耗, Pd:
1.8W
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外宽:
6.7mm
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外部深度:
7.3mm
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外部长度/高度:
1.7mm
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封装/箱盒:
SOT-223
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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带子宽度:
12mm
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总功率, Ptot:
1.8W
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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满功率温度:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
1.17A
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
-10V
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电压, Vds 典型值:
-60V
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电压, Vgs 最高:
-1.5V
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电流, Idm 脉冲:
4.68A
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结温, Tj 最大值:
150°C
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表面安装器件:
SMD
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阈值电压, Vgs th 最高:
-2V
产地:
GE
Georgia
询价