声明:图片仅供参考,请以实物为准!
产品信息
-
场效应管 MOSFET P 每卷1K
-
晶体管极性:
P沟道
-
电流, Id 连续:
1.45A
-
漏源电压, Vds:
60V
-
在电阻RDS(上):
450mohm
-
电压 @ Rds测量:
-10V
-
阈值电压, Vgs th 典型值:
1.5V
-
功耗, Pd:
1.8W
-
工作温度最小值:
-55°C
-
工作温度最高值:
150°C
-
封装类型:
SOT-223
-
针脚数:
3
-
MSL:
MSL 1 -无限制
-
SMD标号:
BSP171P
-
功耗, Pd:
1.5W
-
单脉冲雪崩能量 Eas:
70mJ
-
外宽:
6.7mm
-
外部深度:
7.3mm
-
外部长度/高度:
1.7mm
-
封装/箱盒:
SOT-223
-
工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
-
带子宽度:
12mm
-
总功率, Ptot:
1.8W
-
晶体管数:
1
-
每卷数量:
1000
-
温度 @ 电流测量:
25°C
-
满功率温度:
25°C
-
漏极电流, Id 最大值:
-1.9A
-
电压 Vgs @ Rds on 测量:
-10V
-
电压, Vds 典型值:
-60V
-
电压, Vgs 最高:
20V
-
电压变化率 dv/dt:
6kV/μs
-
电流, Idm 脉冲:
5.8A
-
电流, Idss 典型值:
0.00001μA
-
电流, Idss 最大:
1μA
-
表面安装器件:
SMD
-
阈值电压, Vgs th 最低:
-1V
-
阈值电压, Vgs th 最高:
-2V
产地:
MY
Malaysia
询价