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BSP149H6327XTSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
BSP149H6327XTSA1
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET SIPMOS Sm-Signal 200V 1.8Ohms 660mA
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Infineon
RoHS:
符合
晶体管极性:
N-Channel
汲极/源极击穿电压:
200 V
闸/源击穿电压:
+/- 20 V
漏极连续电流:
0.66 A
电阻汲极/源极 RDS(导通):
1 Ohms
配置:
Single
最大工作温度:
+ 150 C
安装风格:
SMD/SMT
封装 / 箱体:
PG-SOT-223
封装:
Reel
下降时间:
21 ns
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :
0.4 S
栅极电荷 Qg:
11 nC
最小工作温度:
- 55 C
功率耗散:
1.8 W
上升时间:
3.4 ns
系列:
BSP149
典型关闭延迟时间:
45 ns
零件号别名:
SP000438732
询价
*所需产品:
型号: BSP149H6327XTSA1 品牌: Infineon Technologies 备注: MOSFET SIPMOS Sm-Signal 200V 1.8Ohms 660mA
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备注内容:
电脑版
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