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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BSO615NV
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET DUAL N-CH 60V 3.1A 8-SOIC
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET DUAL N-CH 60V 3.1A 8-SOIC
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 标准包装 ： | 1 |
| 系列 ： | SIPMOS® |
| FET 型 ： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点 ： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) ： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C ： | 3.1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C ： | 120 毫欧 @ 3.1A, 10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） ： | 4V @ 20µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs ： | 12nC @ 10V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) ： | 340pF @ 25V |
| 功率 - 最大 ： | 2W |
| 安装类型 ： | 表面贴装 |
| 封装/外壳 ： | 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 ： | PG-DSO-8 |
| 包装 ： | 剪切带 (CT) |
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