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BSO315C|Infineon Technologies
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制造商型号: BSO315C
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET DUAL N/PCH +/-30V 8-SOIC
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产品信息
标准包装 : 1
系列 : SIPMOS®
FET 型 : N 和 P 沟道
FET 特点 : 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss) : 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : 3.4A, 2.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : 110 毫欧 @ 3.4A, 10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) : 2V @ 20µA
闸电荷(Qg) @ Vgs : 11.7nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) : 250pF @ 25V
功率 - 最大 : 2W
安装类型 : 表面贴装
封装/外壳 : 8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
供应商设备封装 : 8-SO
包装 : 剪切带 (CT)
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