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制造商型号： BSM75GB120DN2
制造商： Infineon Technologies
描述： IGBT 模块 1200V 75A DUAL
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:Infineon
产品种类:IGBT 模块
RoHS:否
产品:IGBT Silicon Modules
配置:Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
集电极—射极饱和电压:2.5 V
在25 C的连续集电极电流:105 A
栅极—射极漏泄电流:320 nA
功率耗散:625 W
最大工作温度:+ 150 C
封装 / 箱体:Half Bridge1
栅极/发射极最大电压:20 V
安装风格:Screw
工厂包装数量:500
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