型号/制造商 |
BSM50GB170DN2 Infineon Technologies AG IGBT Modules 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
BSM50GB170DN Infineon ![]() ![]() | 查看库存、价格及货期 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | BSM50GB170DN Infineon | IGBT 模块,1700V,72A,半桥![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | BSM50GB170DN2 Infineon Technologies | IGBT 模块 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE![]() 暂无PDF 查看详细 |
参考图片 | 型号/品牌 | 描述 / 技术参考 |
![]() | BSM50GB170DN2 Infineon Technologies | IGBT 模块 1700V 50A 500W HALF-BRIDGE![]() 暂无PDF 查看详细 |
![]() | BSM50GB170DN Infineon | IGBT 模块,1700V,72A,半桥![]() 暂无PDF 查看详细 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | ||
| 制造商零件编号: BSM50GB170DN2 品牌: Infineon 库存编号: 752-8198 |
安装类型 | 螺丝安装 | |
宽度 | 34mm | |
封装类型 | 34MM | |
尺寸 | 94 x 34 x 30.5mm | |
引脚数目 | 7 | |
最大功率耗散 | 500 W | |
最大栅极发射极电压 | ±20V | |
最大连续集电极电流 | 72 A | |
最大集电极-发射极电压 | 1700 V | |
最高工作温度 | +150 °C | |
通道类型 | N | |
配置 | 双、发射极-集电极 | |
长度 | 94mm | |
高度 | 30.5mm |