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BSM15GD120DN2E3224
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商型号:
BSM15GD120DN2E3224
制造商:
Infineon Technologies
描述:
IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A
订购热线:
400-900-3095
, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
产品信息
制造商:
Infineon
RoHS:
符合
产品:
IGBT Silicon Modules
配置:
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO:
1200 V
集电极—射极饱和电压:
2.5 V
在25 C的连续集电极电流:
25 A
栅极—射极漏泄电流:
150 nA
功率耗散:
145 W
最大工作温度:
+ 150 C
封装 / 箱体:
EconoPACK 2
封装:
Reel
栅极/发射极最大电压:
20 V
最小工作温度:
- 40 C
安装风格:
Screw
询价
*所需产品:
型号: BSM15GD120DN2E3224 品牌: Infineon Technologies 备注: IGBT 模块 N-CH 1.2KV 25A
*联系人:
*联系电话:
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备注内容:
电脑版
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电话:
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