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声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BSH111
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N SOT-23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： NXP
描述： 场效应管 MOSFET N SOT-23
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
- 场效应管 MOSFET N SOT-23
- 晶体管极性: N沟道
- 电流, Id 连续: 335mA
- 漏源电压, Vds: 55V
- 在电阻RDS（上）: 2.3ohm
- 电压 @ Rds测量: 4.5V
- 阈值电压, Vgs th 典型值: 1V
- 功耗, Pd: 830mW
- 工作温度最小值: -65°C
- 工作温度最高值: 150°C
- 封装类型: SOT-23
- 针脚数: 3
- SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
- 功耗, Pd: 830mW
- 功耗, Pd: 830mW
- 封装/箱盒: SOT-23
- 工作温度范围: -65°C 至 +150°C
- 漏极电流, Id 最大值: 335mA
- 电压 Vgs @ Rds on 测量: 4.5V
- 电压, Vds 典型值: 55V
- 电压, Vgs 最高: 10V
- 电流, Idm 脉冲: 1.3A
- 表面安装器件: SMD
- 阈值电压, Vgs th 最高: 1.3V
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