![BSH103|NXP](//upload.szcwdz.com/kucunpic/2/29760.jpg)
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产品信息
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场效应管 MOSFET N SOT-23
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晶体管极性:
N沟道
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电流, Id 连续:
850mA
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漏源电压, Vds:
30V
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在电阻RDS(上):
500mohm
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电压 @ Rds测量:
4.5V
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阈值电压, Vgs th 典型值:
400mV
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功耗, Pd:
750mW
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工作温度最小值:
-55°C
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工作温度最高值:
150°C
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封装类型:
SOT-23
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针脚数:
3
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SVHC(高度关注物质):
No SVHC (19-Dec-2012)
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功耗, Pd:
500mW
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封装/箱盒:
SOT-23
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工作温度范围:
-55°C 至 +150°C
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总功率, Ptot:
500mW
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晶体管数:
1
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温度 @ 电流测量:
25°C
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漏极电流, Id 最大值:
920mA
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电压 Vgs @ Rds on 测量:
2.5V
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电压, Vds 典型值:
30V
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电压, Vgs 最高:
8V
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电流, Idm 脉冲:
3.4A
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表面安装器件:
SMD
询价