数据列表 | BSD840N |
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产品相片 | SOT-363 PKG |
标准包装 | 3,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 阵列 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源极电压 (Vdss) | 20V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 880mA |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 400 毫欧 @ 880mA,2.5V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 750mV @ 1.6µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.26nC @ 2.5V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 78pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 500mW |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-VSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
其它名称 | BSD840N H6327-ND BSD840NH6327 BSD840NH6327XTSA1 SP000917654 |