  |
  |
您现在的位置：首页 > BSD235N L6327
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商型号： BSD235N L6327
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
制造商： Infineon Technologies
描述： MOSFET N-CH DUAL 20V SOT-363
订购热线：400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
产品信息
| 数据列表 | BSD235N |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-363 PKG |
| 产品变化通告 | Product Discontinuation 30/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | OptiMOS™ |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 950mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 350 毫欧 @ 950mA，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 1.6µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 0.32nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 63pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 500mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | PG-SOT363-6 |
| 其它名称 | BSD235N L6327-ND BSD235N L6327INTR SP000442458 |
询价