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BSD214SN H6327|Infineon Technologies
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制造商型号: BSD214SN H6327
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363
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产品信息
数据列表 BSD214SN
产品相片 SOT-363 PKG
标准包装  3,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss)20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)1.5A (Ta)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.2V @ 3.7µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)0.8nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)143pF @ 10V
功率 - 最大值500mW
安装类型表面贴装
封装/外壳6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装PG-SOT363-6
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