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BSC190N12NS3 G|Infineon Technologies
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制造商型号: BSC190N12NS3 G
制造商: Infineon Technologies
描述: MOSFET N-CH 120V 44A TDSON-8
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产品信息
数据列表 BSC190N12NS3 G
产品相片 8-PowerTDFN
标准包装  5,000
类别分立半导体产品
家庭FET - 单
系列OptiMOS™
包装  带卷 (TR)  
FET 类型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能标准
漏源极电压 (Vdss)120V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时)8.6A (Ta), 44A (Tc)
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值)19 毫欧 @ 39A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 42µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)34nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)2300pF @ 60V
功率 - 最大值69W
安装类型表面贴装
封装/外壳8-PowerTDFN
供应商器件封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)
其它名称BSC190N12NS3 G-ND
BSC190N12NS3 GTR
BSC190N12NS3G
SP000652752
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