型号/制造商 |
BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies AG MOSFET N-CH 80V 100A TDSON-8 RoHS: Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() 查看资料 |
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BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies AG Trans MOSFET N-CH 80V 18A 8-Pin TDSON T/R - Tape and Reel (Alt: BSC047N08NS3GATMA1) RoHS: Compliant 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 |
BSC047N08NS3 G Infineon Technologies AG MOSFET, N CH, 100A, 80V, PG-TDSON-8
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型号/制造商 |
BSC047N08NS3GATMA1 Infineon Technologies AG Single N-Channel 80 V 4.7 mOhm 52 nC OptiMOS? Power Mosfet - TDSON-8 RoHS: Not Compliant | pbFree: Yes 搜索 ![]() ![]() |
型号/制造商 | 库存/货期(工作日) | 起订量 | 单价 (含税) | ||
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 |
BSC047N08NS3 G![]() | 1775444 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 80 V, 3.9 mohm, 10 V, 2.8 V ![]() |
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| 制造商零件编号: BSC047N08NS3G 品牌: Infineon 库存编号: 906-4347 |
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数据列表 | BSC047N08NS3 G |
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产品相片 | 8-PowerTDFN |
标准包装 | 5,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET - 单 |
系列 | OptiMOS™ |
包装 | 带卷 (TR) |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 80V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 100A |
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 4.7 毫欧 @ 50A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3.5V @ 90µA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 69nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 4800pF @ 40V |
功率 - 最大值 | 125W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装 | PG-TDSON-8(5.15x6.15) |
其它名称 | BSC047N08NS3 G-ND BSC047N08NS3G SP000436372 |